炭化ケイ素の物理的特性

技術パラメータ	単位	反応焼結炭化ケイ素 SiC	焼結炭化ケイ素 SSiC	グラファイト入り反応焼結炭化ケイ素 SiC+C	グラファイト入り焼結炭化ケイ素 SSiC+C	気孔付き焼結炭化ケイ素 QSSiC+C
硬度	HS	110	115	≥ 105	≥ 110	≥ 100
気孔率	%	< 0.3	< 0.2	< 0.5	< 0.5	< 5
密度	g/cm³	3.00-3.05	> 3.10	2.69-2.90	2.70-3.0	2.65
圧縮強度	MPa	> 2200	> 2500	> 1400	> 1600	> 800
破壊強度	MPa	> 350	> 380	> 150	> 160	> 100
熱膨張係数	10⁻⁶/°C	4	4.2	3.5	3	2.5
SiC含有量	%	≥ 90	≥ 98	≥ 85	≥ 92	≥ 90
遊離シリコン	%	≤ 10	≤ 1	≤ 12	/	/
弾性率	GPa	≥ 400	≥ 410	≥ 350	≥ 360	≥ 180
温度	°C	1300	1400	1300	1400	1400

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